Танталовый лист 0,9х40х100 мм ТВЧ в Нижнем Тагиле

Воздействие высоких энергий, например, ионная имплантация, изменяет поверхностный слой танталового листа, формируя легированный слой. Это может улучшить его твердость, износостойкость, коррозионную стойкость или адгезию последующих покрытий за счет изменения химического состава и структуры поверхности.

Для концентрированной серной кислоты при температурах до 200°C оптимальны листы марок ТВЧ и ТаВ. ТВЧ проявляет высокую стойкость к окисляющим кислотам, а ТаВ, с добавлением ниобия, может демонстрировать улучшенную устойчивость к некоторым типам серной кислоты, особенно при наличии примесей.

Танталовый лист марки ТВ-10, легированный вольфрамом, обычно демонстрирует несколько лучшую устойчивость к водородному охрупчиванию по сравнению с чистым танталом (ТВЧ) в высокотемпературных газовых средах. Легирующие элементы могут снижать диффузию водорода в кристаллическую решетку. Тем не менее, полное исключение охрупчивания невозможно.

Танталовый лист демонстрирует высокую стойкость в сильноокисляющих кислотах, таких как концентрированная хромовая кислота. В этих условиях на его поверхности формируется прочная пассивная оксидная пленка, которая эффективно защищает металл от дальнейшей коррозии.

В танталовом листе марки ТВЧ содержание тантала составляет не менее 99.9% (масс.), что характеризует его как высокочистый материал. Остальные проценты приходятся на регламентированные примеси, содержание которых строго контролируется.

Преимущества использования танталового листа для футеровки емкостей, работающих с высокоагрессивными средами, включают исключительную коррозионную стойкость, что значительно продлевает срок службы оборудования, снижает затраты на обслуживание и обеспечивает высокую чистоту продукта за счет отсутствия загрязнений от коррозии.

Твердость по Виккерсу для танталового листа марки ТВ-5 (тантал-вольфрамовый сплав с 5% вольфрама) обычно составляет от 80 до 120 HV. Это значение выше, чем у чистого тантала (ТВЧ), что обусловлено упрочняющим эффектом вольфрама.